آغاز تولید انبوه چیپ های حافظه فلش سه بعدی سامسونگ
به لطف دستاوردهای سامسونگ، اسمارت فون های آینده می توانند حافظه داخلی بسیار بیشتری داشته باشند. این شرکت به تازگی توانسته با موفقیت تولید انبوه حافظه های فلش سه بعدی خود را آغاز کند و این گونه دیگر محدودیت ۱۶ تا ۶۴ گیگابایتی تلفن های هوشمند بی معنی خواهد شد.
یکی از محدودیت ها و چالش های پیش روی تولید حافظه های فلش با ظرفیت بالاتر، تغییر اندازه فیزیکی آنها با بالا رفتن تراکم است. و البته موضوع تداخل سلول و احتمال از کار افتادن آنها را هم نباید دست کم گرفت. اما به نظر می رسد سامسونگ توانسته با تولید انبوه اولین حافظه V-NAND سه بعدی، از این موانع عبور کند.
به دلیل همین محدودیتها است که درون حافظه های SSD معمولی تعداد فراوانی چیپ ۱۶ گیگابایتی می بینید که در کنار هم فضای ۱۲۸، ۲۵۶ گیگابایت یا بیشتر را فراهم آورده اند. و همین موضوع باعث شده که جا دادن بیش از ۶۴ گیگابایت در اسمارت فون ها تبدیل به یک چالش واقعی شود.
سامسونگ پیش از این با موفقیت ۶۴ گیگابایت حافظه را درون یک چیپ NAND مستقل جا داده بود. اما اکنون نشان داده که می تواند تا ۲۴ لایه مستقل ۱۶ گیگابایتی را روی هم چسبانده و یک چیپ مستقل ۳۸۴ گیگابایتی تولید کند که ضخامت آن چندان بیشتر از چیپ های ۱۶ گیگابایتی فعلی نیست!
اگرچه ممکن است ورود این چیپ های جدید به دنیای اسمارت فون ها نیاز به کمی زمان داشته باشد؛ اما با توجه به مقدمات تولید انبوه آن توسط سامسونگ، می توان امیدوار بود که در آینده نزدیک شاهد کاهش قیمت و افزایش چشمگیر ظرفیت حافظه های SSD باشیم.
